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晶圓級(jí)封裝:流程與優(yōu)勢(shì)解析和晶圓級(jí)芯片清洗劑介紹

合明科技 ?? 2618 Tags:晶圓級(jí)芯片清洗劑先進(jìn)封裝芯片清洗劑

以下是針對(duì)微電子封裝工藝技術(shù)中先進(jìn)封裝(晶圓級(jí)封裝)的工藝流程與優(yōu)勢(shì)的全解析,結(jié)合權(quán)威資料整理:

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一、晶圓級(jí)封裝(WLP)的核心邏輯

與傳統(tǒng)封裝“先切割晶圓,再單獨(dú)封裝芯片”不同,晶圓級(jí)封裝是在整片晶圓上完成封裝工藝后,再切割為獨(dú)立芯片。

  • 類比:傳統(tǒng)封裝如分切面團(tuán)后單獨(dú)烘烤小蛋糕;晶圓級(jí)封裝如先烤制完整蛋糕再分切。

  • 定義:任何在晶圓層級(jí)完成全部或部分加工的封裝技術(shù)均屬WLP范疇,誕生于2000年左右,追求更高效率與更低成本。


二、晶圓級(jí)封裝工藝流程

關(guān)鍵步驟:

  1. 材料準(zhǔn)備

    • 基板、焊膏、重布線層(RDL)材料(如光敏聚酰亞胺PI、苯并環(huán)丁烯BCB)準(zhǔn)備。

  2. 重布線層(RDL)工藝(核心技術(shù))

    • 方案1:聚合物+電鍍銅(成本低,主流方案);

    • 方案2:大馬士革工藝+CMP研磨(成本高,用于高端需求)。

    • 涂覆聚合物薄膜(PI/BCB/PBO)→光刻開(kāi)孔→濺射Ti/Cu阻擋層/種子層→電鍍銅形成線路→多層疊加。

    • 作用:重新布局芯片I/O端口,實(shí)現(xiàn)電氣互聯(lián)擴(kuò)展,類似“封裝內(nèi)部的PCB”。

    • 流程:

    • 工藝方案:

  3. 凸點(diǎn)制作(Bumping)

    • 在RDL上制作錫球,通過(guò)掩膜定位焊膏→回流焊接形成連接點(diǎn)。

  4. 晶圓級(jí)測(cè)試與切割

    • 整片晶圓完成封裝后測(cè)試,篩選不良品,最后切割為單顆芯片。

流程總結(jié):材料準(zhǔn)備 → RDL布線 → 凸點(diǎn)制作 → 測(cè)試/切割。


三、晶圓級(jí)封裝的核心優(yōu)勢(shì)

1. 尺寸與集成度突破

  • 封裝尺寸≈芯片尺寸:省略外圍預(yù)留空間,實(shí)現(xiàn)1:1芯片級(jí)封裝(WLCSP),滿足移動(dòng)終端微型化需求。

  • 多芯片集成:支持濾波器、射頻開(kāi)關(guān)、放大器等器件在晶圓上集成,形成系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP),減少PCB占用。

2. 性能提升

  • 高頻特性優(yōu)化:

    • 傳統(tǒng)引線鍵合產(chǎn)生寄生電感/電容,影響高頻響應(yīng);

    • WLP通過(guò)短互連線路降低信號(hào)損耗(如5G濾波器高頻穩(wěn)定性提升)。

  • 電氣性能增強(qiáng):RDL布線減少傳輸延遲與電磁干擾,提升信號(hào)完整性。

3. 成本與效率優(yōu)勢(shì)

  • 成本降低:

    • 批量處理整片晶圓,減少單芯片封裝工序;

    • 封裝尺寸減小,降低PCB制造成本。

  • 效率提升:

    • 晶圓級(jí)測(cè)試提前淘汰不良品,減少后續(xù)環(huán)節(jié)浪費(fèi);

    • 設(shè)計(jì)協(xié)同:芯片與封裝設(shè)計(jì)一體化,縮短開(kāi)發(fā)周期。


四、常見(jiàn)問(wèn)題與解決方向


問(wèn)題解決方案
熱應(yīng)力導(dǎo)致分層選用高彈性聚合物(如PBO)緩沖應(yīng)力1
多層RDL對(duì)準(zhǔn)精度不足優(yōu)化光刻與刻蝕工藝精度1
焊球連接可靠性低改進(jìn)UBM(凸點(diǎn)下金屬層)結(jié)構(gòu)3

五、未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

  1. 扇出型(Fan-Out WLP):突破芯片尺寸限制,實(shí)現(xiàn)更高密度互聯(lián)。

  2. 異構(gòu)集成:與2.5D/3D封裝結(jié)合,通過(guò)硅中介層整合邏輯、存儲(chǔ)芯片。

  3. 材料創(chuàng)新:低溫固化聚合物、高導(dǎo)熱介質(zhì)提升散熱能力。

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先進(jìn)封裝晶圓級(jí)芯片清洗劑選擇:

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。


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