以下是對先進封裝技術(shù)中倒裝封裝（Flip Chip）工藝流程與核心優(yōu)勢的全面解析，結(jié)合行業(yè)技術(shù)資料整理而成：

一、倒裝封裝工藝流程詳解

1. 凸點制作（Bumping）

• 金球凸點：熱超聲工藝，適用于低I/O密度芯片；

• 錫球凸點：回流焊工藝，間距40-50μm；

• 銅柱凸點：熱壓工藝，支持高密度I/O（間距40-10μm）。

• UBM沉積：在芯片焊盤（Alpad鋁墊層）上濺射/電鍍凸點下金屬化層（UBM），增強凸點附著力并提升導(dǎo)電/導(dǎo)熱性。

• 凸點形成：主流采用銅柱凸點（成本低、電/熱性能優(yōu)），通過電鍍銅柱+錫帽，經(jīng)回流焊形成"子彈頭"結(jié)構(gòu)（如圖）。

• 凸點類型：

2. 對準與貼裝（Placement）

• 回流焊：芯片凸點蘸取助焊劑→精密貼裝設(shè)備對準基板焊盤→加熱熔融凸點實現(xiàn)連接→清洗殘留。

• 熱壓鍵合（TCB）：高精度相機對準，熱壓頭加壓加熱連接，解決高密度凸點（微凸點）的翹曲問題。

3. 底部填充（Underfill）

• 沿芯片邊緣注入填充膠，靠毛細作用滲入芯片與基板間隙；

• 固化后增強機械強度，吸收熱應(yīng)力/機械應(yīng)力，保護C4區(qū)域（焊球分布區(qū)）。

二、倒裝封裝的核心優(yōu)勢

四大技術(shù)突破點：
① 電氣性能提升：縮短信號路徑，減少寄生電容/電感，提升高頻信號完整性；
② 散熱路徑優(yōu)化：熱量通過凸點直傳基板，適用于高功率芯片；
③ 微型化基礎(chǔ)：支撐后續(xù)2.5D/3D堆疊（如μBump微凸點技術(shù)）；
④ 成本可控：銅柱凸點工藝成熟，性價比優(yōu)于金凸點。

三、工藝演進與行業(yè)定位

• 中道工序地位：凸點制作介于晶圓制造（前道）與封裝測試（后道）之間，與TSV/RDL并稱先進封裝核心中道技術(shù)。

• 技術(shù)迭代方向：
  球柵陣列焊球（BGA） → FC凸點 → 微凸點（μBump）→ 混合鍵合（Hybrid Bonding）。

四、先進封裝芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

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合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

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