因?yàn)閷I(yè)
所以領(lǐng)先
我們來對(duì)芯片先進(jìn)封裝基板的種類和材料進(jìn)行一次詳細(xì)的分析。
隨著摩爾定律逼近物理極限,單純依靠縮小晶體管尺寸來提升芯片性能變得越來越困難且昂貴。先進(jìn)封裝技術(shù)成為延續(xù)“超越摩爾定律”發(fā)展的關(guān)鍵路徑。而封裝基板作為連接芯片(Die)與印刷電路板(PCB)的“中間橋梁”,其性能直接決定了最終芯片產(chǎn)品的信號(hào)傳輸速度、功率密度、散熱能力和可靠性。

先進(jìn)封裝基板的核心需求是:
更高密度:支持更細(xì)的線寬線距,以連接數(shù)量更多、間距更小的芯片凸點(diǎn)。
更高性能:更低的信號(hào)損耗(低Dk/Df)、更快的傳輸速度。
更好散熱:高效導(dǎo)出高功耗芯片產(chǎn)生的熱量。
更高可靠性:在熱、機(jī)械應(yīng)力下保持穩(wěn)定。
先進(jìn)封裝基板主要可以根據(jù)其結(jié)構(gòu)和在封裝中的功能角色進(jìn)行分類。
| 類型 | 描述 | 特點(diǎn) | 主要應(yīng)用 |
| 硬質(zhì)基板 | 由剛性芯材(如BT樹脂、ABF等)和銅箔通過類似PCB的工藝制成,不可彎曲。 | 優(yōu)點(diǎn):結(jié)構(gòu)強(qiáng)度高,可靠性好,工藝成熟。 | FC-BGA, 2.5D/3D IC Interposer |
| 缺點(diǎn):不易彎曲,在高密度互連方面有局限。 | |||
| 柔性基板 | 使用聚酰亞胺等柔性材料制成,可以彎曲、折疊。 | 優(yōu)點(diǎn):輕薄、可彎曲,節(jié)省空間。 | 芯片軟板連接, wearable devices, COF |
| 缺點(diǎn):成本較高,機(jī)械強(qiáng)度不如硬板。 | |||
| 軟硬結(jié)合板 | 結(jié)合了硬質(zhì)基板和柔性基板的區(qū)域,通過壓合工藝制成一個(gè)整體。 | 優(yōu)點(diǎn):兼具硬板的支撐性和軟板的靈活性,集成度高。 | 空間有限且需要活動(dòng)連接的應(yīng)用 |
| 缺點(diǎn):制造工藝復(fù)雜,成本高。 |
這是理解先進(jìn)封裝基板的核心分類方式。
| 中介層 | 用于2.5D/3D封裝中,置于芯片和封裝基板之間,實(shí)現(xiàn)芯片與芯片之間的超高密度互連。 | - 線寬/線距極細(xì)(可達(dá)2μm以下),互連密度最高。 | 2.5D/3D IC (CoWoS, EMIB, X-Cube) |
| - 主要提供互連,通常不集成有源器件。 | |||
| - 材料多樣(硅、有機(jī)、玻璃)。 | |||
| 重分布層 | 并非獨(dú)立的基板,而是在芯片表面或晶圓上直接制作的多層銅布線層,用于將芯片的鋁pad重新布局到更寬松的、適合封裝的凸點(diǎn)陣列上。 | - 線寬/線距最細(xì)(可達(dá)亞微米級(jí)),直接在硅上加工。 | FOWLP, InFO, WLCSP |
| - 取代了傳統(tǒng)的“基板”,實(shí)現(xiàn)最高密度的芯片級(jí)互連。 | |||
| - 是Fan-Out封裝的核心技術(shù)。 |
材料是決定基板性能的根本。不同的材料應(yīng)用于不同的基板類型和場景。
這是目前使用最廣泛的封裝基板材料,主要通過積層法制造。
核心絕緣層材料:
優(yōu)點(diǎn):耐高溫、柔性極好、機(jī)械強(qiáng)度高。
缺點(diǎn):吸濕性較高,介電性能一般,成本較高。
應(yīng)用:主要用于柔性基板。
優(yōu)點(diǎn):介電性能極佳(Dk~3.3,Df~0.005),非常適合高頻高速信號(hào)傳輸;可以制作極細(xì)的線路(線寬/線距可達(dá)10μm/10μm以下);填充性好。
缺點(diǎn):本身較軟,需要芯板支撐。
應(yīng)用:絕對(duì)是當(dāng)前高端封裝基板的霸主。幾乎所有的CPU、GPU、AI芯片的FC-BGA基板的積層層都使用ABF材料。它是實(shí)現(xiàn)高密度互連的關(guān)鍵。
優(yōu)點(diǎn):剛性高、耐熱性好(Tg約180-240°C)、尺寸穩(wěn)定性好、吸濕性低。
缺點(diǎn):介電性能(Dk/Df)相對(duì)較差,不適合最高速的應(yīng)用。
應(yīng)用:主要用于硬質(zhì)基板的芯材,以及一些對(duì)可靠性要求高的FC-CSP、FC-BGA基板。
BT樹脂:雙馬來酰亞胺三嗪樹脂。
ABF:味之素堆積膜。
聚酰亞胺:
導(dǎo)電材料:
銅箔:幾乎是唯一的導(dǎo)體材料。對(duì)于超細(xì)線路,需要采用超薄銅箔(如2-5μm)并通過半加成法或改良型半加成法工藝進(jìn)行加工。
硅:
優(yōu)點(diǎn):可以利用成熟的硅工藝(光刻、刻蝕等)制作線寬/線距極細(xì)(<1μm)的超高密度中介層;其熱膨脹系數(shù)與芯片一致,熱機(jī)械可靠性極高。
缺點(diǎn):成本高昂;硅是半導(dǎo)體,需要做絕緣處理(如沉積SiO?);導(dǎo)電性不如銅。
應(yīng)用:2.5D封裝的中介層(如臺(tái)積電的CoWoS技術(shù))。在硅片上制作TSV和多層布線,實(shí)現(xiàn)多顆芯片(如HBM和計(jì)算芯片)的互連。
玻璃:
優(yōu)點(diǎn):作為一種新興材料,具有優(yōu)異的平整度和可調(diào)的熱膨脹系數(shù);是天然的絕緣體,高頻損耗(Df)極低;成本有望低于硅;易于進(jìn)行大面積面板級(jí)加工。
缺點(diǎn):機(jī)械強(qiáng)度和脆性處理是挑戰(zhàn),工藝還不夠成熟。
應(yīng)用:被視為下一代中介層和天線基板的潛在理想材料,英特爾等公司正在大力推廣其Glass Core技術(shù)。
陶瓷:
優(yōu)點(diǎn):耐高溫、導(dǎo)熱性好、強(qiáng)度高、氣密性好。
缺點(diǎn):介電常數(shù)高(導(dǎo)致信號(hào)延遲)、重量大、難以制作高密度線路、成本高。
應(yīng)用:主要用于航空航天、軍事等對(duì)可靠性要求極高的領(lǐng)域,在消費(fèi)電子先進(jìn)封裝中已較少使用。
| 基板類型/角色 | 核心材料 | 優(yōu)勢 | 劣勢 | 典型應(yīng)用場景 |
| 有機(jī)封裝基板 | ABF (積層層), BT (芯板) | 成本效益好,高頻性能佳(ABF),工藝成熟 | 密度有物理極限,散熱能力一般 | 主流CPU, GPU, SoC (FC-BGA) |
| 硅中介層 | 硅、二氧化硅、銅 | 互連密度最高,與芯片CTE匹配 | 成本極高,尺寸受晶圓限制 | 2.5D封裝,連接HBM和高級(jí)邏輯芯片 |
| 玻璃中介層/基板 | 玻璃、銅 | 高頻損耗低,平整度高,成本潛力優(yōu)于硅,可面板級(jí)加工 | 技術(shù)尚未完全成熟,機(jī)械強(qiáng)度處理是挑戰(zhàn) | 未來大尺寸中介層,天線集成,高速應(yīng)用 |
| 重分布層 | 光刻膠、聚酰亞胺、銅 | 互連密度極高,節(jié)省空間,成本低(晶圓級(jí)) | 對(duì)晶圓制造依賴度高,機(jī)械保護(hù)弱 | Fan-Out封裝 (InFO, FOWLP), WLCSP |
材料創(chuàng)新:玻璃基板的商業(yè)化進(jìn)程加速,有望在更大尺寸、更高性能的封裝中替代硅和有機(jī)材料。同時(shí),開發(fā)更低Dk/Df、更高導(dǎo)熱性的新型有機(jī)材料也是重點(diǎn)。
集成度提升:基板內(nèi)部集成無源元件(IPD)、甚至有源器件(“芯?!笔交澹⒊蔀橼厔?,進(jìn)一步提升系統(tǒng)性能和縮小尺寸。
制造工藝:從晶圓級(jí)加工向更大尺寸的面板級(jí)加工演進(jìn),以降低成本,玻璃基板尤其適合此路徑。
多材料融合:在一個(gè)封裝體內(nèi),根據(jù)不同區(qū)域的需求(如高密度區(qū)、高速區(qū)、散熱區(qū))混合使用有機(jī)、硅、玻璃等多種材料,實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能。
總而言之,先進(jìn)封裝基板的世界是一個(gè)多種技術(shù)和材料激烈競爭與融合的舞臺(tái)。沒有一種材料或類型是萬能的,選擇取決于對(duì)性能、成本、尺寸和可靠性的綜合權(quán)衡。目前,ABF有機(jī)基板是絕對(duì)的主流,而硅中介層統(tǒng)治著高端2.5D市場,玻璃則代表著未來最具潛力的發(fā)展方向。
先進(jìn)封裝基板焊后殘留物清洗-合明科技芯片封裝前錫膏助焊劑清洗劑介紹:
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。
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主營產(chǎn)品包括:集成電路與先進(jìn)封裝清洗材料、電子焊接助焊劑、電子環(huán)保清洗設(shè)備、電子輔料等。
半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用節(jié)點(diǎn):FlipChip ;2D/2.5D/3D堆疊集成;COB綁定前清洗;晶圓級(jí)封裝;高密度SIP焊后清洗;功率電子清洗。